МІКРОСТРУКТУРА І ЕЛЕКТРОПРОВІДНІСТЬ КОМПОЗИТІВ Si3N4 - TiO2 (TiH2), ОХОЛОДЖЕННИХ З РІЗНОЮ ШВИДКІСТЮ ПІСЛЯ ГАРЯЧОГО ПРЕСУВАННЯ

І.В.Чернякова,
 
С.М.Здольник,
  

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Омеляна Пріцака, 3, Київ, 03142, Україна
Порошкова металургія - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2010, #01/02
http://www.materials.kiev.ua/article/1513

Анотація

Встановлено, що регулюванням швидкості охолодження після гарячого пресування можна впливати на процеси кристалізації й аморфізації композита Si3N4 - TiO2 (TiH2). Критична швидкість охолодження становить 30 град/хв для композитів Si3N4 –TiO2 і 50 град/хв для композитів Si3N4 –TiH2. Показано, що електропровідність реагує на еволюцію мікроструктури композиту внаслідок виникнення дефектних рівнів глибиною залягання (0,4–1,3) ± 0,05 еВ, різною у взаємно перпендикулярних напрямках. Найкращий комплекс властивостей мають композити, які характеризуються одним дефектним рівнем глибиною залягання 0,8 ± 0,05 еВ. Дефект, ймовірно, належить тонкому шару аморфного кремнію. Зважаючи на малу чутливість механічних властивостей до зміни технологічних параметрів температурної обробки композиту (швидкості охолодження) і високу чутливість до них електропровідності, висловлено припущення, що утворені дефекти, найвірогідніше, мають характер точкових дефектів або асоціації точкових дефектів.


ГАРЯЧЕ ПРЕСУВАННЯ, ГІДРИД ТИТАНУ, ЕЛЕКТРОПРОВІДНІСТЬ, МІКРОСТРУКТУРА, НІТРИД КРЕМНІЮ, ОКСИД ТИТАНУ, ШВИДКІСТЬ ОХОЛОДЖЕННЯ