Конференції

МЕХАНIЗМ ВИСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОКИСНЕННЯ КОМПОЗИЦIЙНОЇ КЕРАМIКИ НА ОСНОВI ZrB2 СИСТЕМИ ZrB2–SiC–AlN

 
А.Д.Панасюк,
 
І.О.Подчерняєва,
   

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Кржижановського 3, Київ, 03142, Україна
Порошкова металургія - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2018, #01/02
http://www.materials.kiev.ua/article/2485

Анотація

Досліджено процес окиснення при високих температурах (1550–1700 °С) композиційного матеріалу системи ZrB2–SiC–AlN, вивчено структуру та фазовий склад вихідної кераміки та окалини. Встановлено двостадійний процес зародження оксидного шару. На низькотемпературній стадії (1170–1250 °С) утворюється проміжний шар на основі ZrB2 за участю твердих розчинів системи AlON–SiC/SiO2. На високотемпературній стадії (1250–1350 °С) утворюється основний захисний шар, що складається з мулітних твердих розчинів системи xAl2O3–ySiO2 та колоній кристалів оксиду цирконію, розміщених по границях зерен мулітної фази. Оксидний шар, що утворюється при окисненні, є потенційним бар’єром, який запобігає процесу дифузії кисню у об’єм зразка.


ВИСОКОТЕМПЕРАТУРНЕ ОКИСНЕННЯ, ДИБОРИД ЦИРКОНІЮ, КАРБІД КРЕМНІЮ, МУЛІТНИЙ ТВЕРДИЙ РОЗЧИН, НІТРИД АЛЮМІНІЮ