ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВИСОКОПОГЛИНАЮЧОЇ КЕРАМІКИ НА ОСНОВІ СИСТЕМИ AlN–SiC

 
Ю.В.Коблянський,
 
І.В.Завісляк,
 
Хао Ван,
 
Жун Лі,
 
Лей У,
 
Ю.М.Кондратович,
  
Л.М.Капітанчук
 

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Омеляна Пріцака, 3, Київ, 03142, Україна
Порошкова металургія - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2019, #09/10
http://www.materials.kiev.ua/article/2976

Анотація

Проведено порівняння електрофізичних характеристик на частоті 10,3 ГГц двох сильнопоглинаючих композиційних матеріалів на основі системи AlN–SiC. Для оцінки діелектричної проникності і тангенса діелектричних втрат таких сильнопоглинаючих матеріалів використано хвилеводний метод з частковим заповненням хвилеводу. Встановлено залежність електрофізичних властивостей зразків від їх фазового складу, співвідношення непровідних і провідних фаз, а також характеру розподілу цих фаз у мікроструктурі. Вміст основних фаз у зразках 1 і 2 композиційних матеріалів становить 57,2AlN–37,9SiC–4,9Y3Al5O12 і 42,3AlN–49,9SiC–7,8Y3Al5O12 відповідно; також вони містять незначну кількість карбіду титану, сіалону й інших добавок. Виявлено, що в кристалічній структурі композиційних матеріалів практично не утворюються тверді розчини між AlN і SiC. Показано відповідність значень питомого опору композитів на постійному струмі результатам високочастотних вимірювань. Досліджувані матеріали 1 і 2 характеризуються, відповідно, тангенсом діелектричних втрат 0,30 і 0,49; дійсною частиною діелектричної проникності ε' = 33,4 и 60; уявною частиною діелектричної проникності ε'' = 10,1 і 29,5; питомим опором при напрузі 1 В, що складає 3,78 • 108 і 8,90 • 105 Ом • см.


ДІЕЛЕКТРИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ, КАРБІД КРЕМНІЮ, КОМПОЗИТИ, МІКРОСТРУКТУРА, НІТРИД АЛЮМІНІЮ