1. Головна
2. Структура
3. Фізичне матеріалознавство та фізика міцності
4. 44. Відділ прикладної математики та обчислювального експерименту в матеріалознавстві
5. Іванов С.М.
6. Публікація

Модель росту оксидного шару на Si3N4- та SiC-кераміках: неоднорідна кристалізація SiO2 із зміненням об”єму

Б.О.Галанов,

 

С.М.Іванов,

 

В.В.Картузов,

 

Р.І.Бугаєнко