Конференції

Вплив неоднорідною деформації на електронну структуру SnO2 та SnxSb1-xO2 фаз

 
Б.М.Рудь,
 
А.Г.Гончар,
  
О.О.Бутенко
 

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Кржижановського 3, Київ, 03142, Україна
Порошкова металургія і металокераміка, 2012, #51
http://www.materials.kiev.ua/article/1634

Анотація

Вивчені електронні структури різних фаз в системі Sn-Sb-O2 під тиском і під дією тетрагональної, моноклінної і ромбічної деформації. Розрахунки виконані з використанням перших принципів методу псевдопотенціалу. Встановлено, що SnO2 зазнає наступні фазові переходи під тиском:: рутил-піриту (17 ГПа) і пірит-флюориту (138 ГПа). Також встановлено, що легування SnO2 з Sb приводить до зрушення рівня Фермі в зону провідності і до додаткових резонансних станів нижче валентної зони. Неоднорідна деформація Snx Sb1-х О2, х = 1,00; 0,94; 0,88, при б ≤ 0,2 викликає напругу до 6,2 ГПа, в залежності від штаму. Аналіз щільності електронних станів у забороненій зоні деформованих структур показує, що розрив розширюється при тетрагональній деформації і звужується під дією ромбічної і моноклінної деформації. Отримані теоретичні результати слід брати до уваги при інтерпретації п'єзорезистивного властивостей Sn-Sb-O2 на основі товстих плівок.