Конференції
  1. Головна
  2. Структура
  3. Порада Олександр Карпович

Порада Олександр Карпович


Наукові інтереси

  • Створення тонкоплівкових матеріалів інструментального призначення на основі тугоплавких сполук SiC і TiN, матеріалів напівпровідникового призначення на основі SiC(N) низькотемпературним (енергоощадним) плазмохімічним методом з використанням прекурсорів ― метилтрихлорсилану, тетрахлориду титану і гексаметилдісилазану.
  • Створення гідрогенізованих тонких плівок SiC та SiCN для сонячних джерел енергії та світлодіодних освітлювальних приладів.
  • Вивчення взаємозв’язку між структурою плівкового матеріалу та її властивостями.
  • Вивчення впливу умов плазмохімічного осадження на властивості отримуваних плівок.
  • Дослідження впливу матеріалу підкладки та стану її поверхні на властивості плазмохімічно осаджених тонкоплівкових матеріалів.
  • Створення високоефективних зносостійких тонкоплівкових матеріалів плазмохімічним методом на основі тугоплавких сполук SiC, TiN і SiCN.
  • Удосконалення технології плазмохімічного методу осадження з метою пониження температури підкладки для збереження властивостей підкладок (різального інструменту) і попередньо нанесених покриттів, зменшення впливу матеріалу підкладки на склад осаджуваної плівки, а також енергозатратності процесу осадження.
  • Удосконалення технології створення тонких плівок системи Si-C-N для практичного застосування в оптичних вузлах, особливо в якості захисного покриття для видимої і інфрачервоної оптики, що працює в несприятливих умовах навколишнього середовища.
  • Вивчення олеофобних властивостей плівок Si-C-N для оптичних та сенсорних пристроїв.
  • Вплив додаткової термічної обробки на фізичні та трибо-механічні властивості плівок на основі SiC, TiN, Si-C-N.
  • Створення тонкоплівкових матеріалів системи Si–C–N, які випромінюють голубе світло, для світлодіодів, що продукують світло наближене до денного.
  • Удосконалення лабораторної плазмохімічної установки та оптимізація технології осадження, що може бути базою для виготовлення установки на замовлення чи для промислового призначення.
  • Застосування нових, доступних прекурсорів чи додаткових реагентів для поліпшення властивостей тонкоплівкових матеріалів на основі тугоплавких сполук.

    • Біографія

    Освіта:
    2015 - присвоєння вченого звання старшого наукового співробітника за спеціальністю 05.02.01 ― матеріалознавство (Наказ МОН України від 15.12.2015р. № 1292).
    2009 – к. т. н. за спеціальністю 05.02.01 ― матеріалознавство Інститут проблем матеріалознавства імені І. М. Францевича НАН України, відділ фізичного матеріалознавства тугоплавких сполук. Дисертація: «Вплив умов осадження плазмохімічних Si–C–N, Ti–N–C покриттів на їх структуроутворення та властивості» в (диплом ДК №054662). Наук. керівник: доктор ф-м.наук Іващенко В. І.
    1978 - радіофізичний факультет Київського державного університету імені Т. Г. Шевченка за спеціальністю радіофізика і електроніка (фізична електроніка), кваліфікація: радіофізик, інженер-дослідник (диплом Г-ІІ №145005).

    Зайнятість:
    1993 – по т. ч. Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича, Національної Академії Наук України, відділ фізичного матеріалознавства тугоплавких сполук. Посада: старший науковий співробітник.

    Участь у проектах:
    НТЦУ:

  • № 1590С „Розробка технології створення дешевого модуля для сонячних батарей на основі аморфних напівпровідникових матеріалів”;
  • № 1591 “Удосконалення плазмохімічної технології нанесення зносостійкого покриття на інструмент”;
  • №5539 „Розробка нових надтвердих нанокомпозитів: теоретичне та експериментальне дослідження.

    • CRDF:

  • UK–E2–2589–KV–04 “Тверді композитні покриття на основі nc–TiNC/a–SiCN:H”).

    • Публікації