ПЕРЕОХЛАЖДЕНИЕ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ПЛЕНОК ВИСМУТА НА ГЕРМАНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ

М.М.Колендовський,
 
С.І.Богатиренко,
 
А.П.Кришталь,
 
Н. Т.Гладких,
 
С.В.Дукаров,
 
А.Л.Самсоник,
 
Р.В.Сухов
 

Адгезія розплавів і пайка матеріалів - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2007, #40
http://www.materials.kiev.ua/article/203

Анотація

Исследованы механизм конденсации в пленочной системе Bi—Ge и изменение электрического сопротивления в слоистой пленочной системе Ge—Bi—Ge в ходе циклов нагрев—охлаждение. Определены величина переохлаждения при кристаллизации висмута в контакте с аморфным и поликристаллическим германием — 94 K и угол смачивания в островковых пленках висмута на аморфной германиевой подложке — 68?. Полученные результаты хорошо согласуются с имеющимися данными по обобщенной зависимости величины переохлаждения от угла смачивания для других контактных систем.