Конференції
  1. Головна
  2. Публікація

Температурна залежність електронної структури поверхні (111)Si.

С.М.Зубкова,
 
Т.В.Горкавенко,
 
В.А.Макара,
 
Л.М.Русіна,
 
О.В.Смелянський
 

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Омеляна Пріцака, 3, Київ, 03142, Україна
Вісник фізичного факультету НУ ім. Т.Шевченка - Київ, Україна: Київський національний університет ім. Т. Шевченка, 2011, #4
http://www.materials.kiev.ua/article/675

Анотація

Досліджено температурну залежність електронної структури поверхні (111) Si. Чисельний розрахунок проведено самоузгодженим "тривимірним" методом псевдопотенціалу в рамках моделі шаруватої надґратки. Вплив температурної залежності електрон-фононної взаємодії на зонну структуру поверхні кристалу враховувався через фактори Дебая-Валлера, а внесок лінійного розширення ґратки - через температурну залежність коефіцієнта лінійного розширення. Детально проаналізовано температурні залежності прямої та непрямої заборонених зон, а також електронної густини станів поверхні (111) Si.


Публікації