Конференції

Електронні властивості поверхні (111) в А3 В5 та А2 В6- кристалах.

С.М.Зубкова,
 
Т.В.Горкавенко,
 
В.А.Макара,
 
Л.М.Русіна,
 
О.В.Смелянський
 

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Кржижановського 3, Київ, 03142, Україна
Український фізичний журнал - Київ, Україна.: Інститут теоретичної фізики ім. М.М.Боголюбова, 2011, #56
http://www.materials.kiev.ua/article/677

Анотація

Для полярної поверхні (111) в кристалах типу А3 В5 і А2 В6: GaAs, ZnSe досліджено електронну зонну структуру, локальну густину станів (повну та пошарову), а також розподіл зарядової густини валентних електронів. Окремо розглянуто властивості поверхонь, щозакінчуються катіоном та аніоном. Чисельний розрахунок проведено самоузгодженим тривимірним методом псевдопотенціала в рамках моделі шаруватої надгратки. В процесі самоузгодження використано оригінальний ітератор, який дозволяє подолати труднощі, обумовлені наявністю в разі поверхні векторів оберненої гратки, менших 1 aт.од