ФІЗИКО-ХІМІЧНІ ОСОБЛИВОСТІ СИНТЕЗУ НАНОСТРУКТУРОВАНОГО SіС В УМОВАХ НЕІЗОТЕРМІЧНОГО НАГРІВУ З ВИКОРИСТАННЯМ ПОПЕРЕДНЬОЇ ГІДРОТЕРМАЛЬНОЇ ОБРОБКИ РИСОВОГО ЛУШПІННЯ
II. ОДЕРЖАННЯ SіC БЕЗ ДОМІШКИ ВУГЛЕЦЮ

Анотація

Встановлено, що отриманий карбідізацією рисового лушпиння SiC неминуче містить вуглець, який не прореагував, так як співвідношення С/SiО₂ у вихідній шихті перевищує стехіометричне на 36%. Запропоновано два способи отримання SiC без домішки вуглецю: перший полягає в проведенні додаткового окисного відпалу при температурі 770 °С, а другий — у введенні додаткової кількості SiО₂ у вигляді силікату натрію в процес гідротермальної карбонізації.