Sections
Personal tools

Наші Координати: Україна, 03142, м.Київ, вул. Кржижановського, 3 | тел: +380(44)390-87-51, +380(44)390-87-57 | факс: +380(44)390-87-51

Теоретичне дослідження електронних властивостей і стабільності композитної сегментованої нанотрубки Sic-С-sic

А. O. Лисенко


Посилання: http://www.materials.kiev.ua/article/364

За допомогою програмного комплексу “Gaussian-98” у рамках теорії функціонала електронної густини проведено дослідження електронних властивостей сегментованої композитної нанотрубки SiС—C—SiС типу крісло. Оптимізована структура являє собою гофровану трубку. Окремі сегменти в композиті С (4,4)4 і SiС (4,4)4 практично зберігають геометричні властивості цільних нанотрубок. У порівнянні з SiС напівпровідникова щілина у композиті зменшується. Розрахунки величин енергії зчеплення нанотрубок дають наступну зростаючу послідовність: SiС, SiС—BN—SiС, SiС—C—SiС, C.


GAUSSIAN-98, ВУГЛЕЦЕВІ НАНОТРУБКИ, КАРБІДОКРЕМНІЄВІ НАНОТРУБКИ, КОМПОЗИТНІ, ТЕОРІЯ ФУНКЦІОНАЛУ ЕЛЕКТРОННОЇ ГУСТИНИ

Математичні моделі і обчислювальний експеримент в матеріалознавстві - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2010 , #12 , C.70-78


Українське матеріалознавче товариство Українська технологічна платформа Штаб Цивільного Захисту НАН України Базовий координаційний центр УНГ Офіційний Web-портал Верховної Ради України Курсы валют Перевод онлайн