Sections
Personal tools

Наші Координати: Україна, 03142, м.Київ, вул. Кржижановського, 3 | тел: +380(44)390-87-51, +380(44)390-87-57 | факс: +380(44)390-87-51

Моделювання тертя ковзання між пластинами а-SiC, нк-SiC та к-Si

Іващенко В.І., Шевченко В.І., Павлова Н.Ю.


Посилання: http://www.materials.kiev.ua/article/299

Приведено результати моделювання методом молекулярної динаміки тертя в системах a-SiC/a-SiC, a-SiC/к-C, нк-SiC/к-C та к-Si/к-C в залежності від температури та інтенсивності притискування поверхонь тертя. Виявлено утворення специфічної мікроструктури поверхонь тертя.


Математичні моделі і обчислювальний експеримент в матеріалознавстві - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2009 , #11 , C.10-16


Українське матеріалознавче товариство Українська технологічна платформа Штаб Цивільного Захисту НАН України Базовий координаційний центр УНГ Офіційний Web-портал Верховної Ради України Курсы валют Перевод онлайн