Конференції

Електронна структура (111) – поверхні в ковалентних кристалах типу А3В5 і А2В6: ZnSe, GaAs.

Т.М.Горкавенко,
 
С.М.Зубкова,
 
Л.М.Русіна,
  

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Кржижановського 3, Київ, 03142, Україна
Математичні моделі і обчислювальний експеримент в матеріалознавстві - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2009, #11
http://www.materials.kiev.ua/article/306

Анотація

Для полярної поверхні (111) в ковалентних кристалах типу А3В5 і А2В6: ZnSe, GaAs вперше досліджені єлектронна зонна структура, локальна щільність станів (повна та в окремих шарах), а також розподіл зарядової щільності. Окремо розглядаються властивості поверхонь, що закінчуються катіоном та аніоном. Розрахунок проведено за розробленою авторами програмою самоузгодженого методу псевдопотенціалу в рамках моделі шаруватої надгратки. В процесі самоузгодження використовується оригінальний ітератор, який дозволяє подолати труднощі, пов’язані в разі поверхні з наявністю малих векторів оберненої гратки.