Виготовлення нанокабелів BN/SiC методом CVD, їх структура та морфологія

 
А.М.Шлапак,
 
О.Ф.Пилипчук,
 
П.М.Дьячков,
  

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Кржижановського 3, Київ, 03142, Україна
Електронна мікроскопія і міцність матеріалів - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2009, #16
http://www.materials.kiev.ua/article/349

Анотація

Проведені розрахунки залежності потенціалу Гібса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження (CVD) була розроблена методика формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і було визначено, що оптимальною є температурою синтезу 1300 0С. Дослідження нанокабелів BN/SiC методом просвічуючої електронної мікроскопії показали, що товщина покриттів становить 10-20 нанометрів, а сформований шар покриття є гексагональним.


МЕТОД CVD, МОРФОЛОГІЯ, НАНОКАБЕЛІ BN/SIC, СТРУКТУРА