Sections
Personal tools

Наші Координати: Україна, 03142, м.Київ, вул. Кржижановського, 3 | тел: +380(44)390-87-51, +380(44)390-87-57 | факс: +380(44)390-87-51

Високотемпературне та електрохімічне окиснення тонких плівок NiSi та NiSi2

Драненко О.С., Лавренко В.О., Талаш В.М., Кошелєв М.В.


Посилання: http://www.materials.kiev.ua/article/895

Вивчено високотемпературне та анодне окиснення тонких плівок NiSi та NiSi2, одержаних методом термічного відпалу плівки Ni на монокристалічному кремнію. Як за високотемпературного, так і за анодного окиснення тонких плівок NiSi та NiSi2 на їх поверхнях утворюється тонкий шар SiO2, що має захисні властивості. Початок високотемпературного окиснення плівок NiSi відбувається при температурі 930 К, що на 100 К нижче початку окиснення плівок NiSi2. З підвищенням температури приріст маси плівок NiSi більший, ніж у плівок NiSi2, і при 1273 К ця різниця складає 3 рази, що пояснюється відмінністю їх структури та стехіометрії. Показано, що стійкість плівок до електрохімічної корозії зростає в ряду: Ni —> NiSi —> NiSi2.


ВИСОКОТЕМПЕРАТУРНЕ ОКИСНЕННЯ, ЕЛЕКТРОХІМІЧНЕ ОКИСНЕННЯ, ЗАХИСНИЙ ШАР SІО2, СИЛІЦИД, ТОНКА ПЛІВКА

Порошкова металургія - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2013 , #09/10 , C.109-114


Українське матеріалознавче товариство Українська технологічна платформа Штаб Цивільного Захисту НАН України Базовий координаційний центр УНГ Офіційний Web-портал Верховної Ради України Курсы валют Перевод онлайн