Sections
Personal tools

Наші Координати: Україна, 03142, м.Київ, вул. Кржижановського, 3 | тел: +380(44)390-87-51, +380(44)390-87-57 | факс: +380(44)390-87-51

Електронна структура (111) – поверхні в ковалентних кристалах типу А3В5 і А2В6: ZnSe, GaAs.

Горкавенко Т.М., Зубкова С.М., Русіна Л.М., Бекеньов В.Л.


Посилання: http://www.materials.kiev.ua/article/306

Для полярної поверхні (111) в ковалентних кристалах типу А3В5 і А2В6: ZnSe, GaAs вперше досліджені єлектронна зонна структура, локальна щільність станів (повна та в окремих шарах), а також розподіл зарядової щільності. Окремо розглядаються властивості поверхонь, що закінчуються катіоном та аніоном. Розрахунок проведено за розробленою авторами програмою самоузгодженого методу псевдопотенціалу в рамках моделі шаруватої надгратки. В процесі самоузгодження використовується оригінальний ітератор, який дозволяє подолати труднощі, пов’язані в разі поверхні з наявністю малих векторів оберненої гратки.


Математичні моделі і обчислювальний експеримент в матеріалознавстві - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2009 , #11 , C.69-80


Українське матеріалознавче товариство Українська технологічна платформа Штаб Цивільного Захисту НАН України Базовий координаційний центр УНГ Офіційний Web-портал Верховної Ради України Курсы валют Перевод онлайн