Високотемпературне та електрохімічне окиснення тонких плівок NiSi та NiSi2

О.С.Драненко,
 
В.О.Лавренко,
 
В.О.Лавренко,
   

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Омеляна Пріцака, 3, Київ, 03142, Україна
Порошкова металургія - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2013, #09/10
http://www.materials.kiev.ua/article/895

Анотація

Вивчено високотемпературне та анодне окиснення тонких плівок NiSi та NiSi2, одержаних методом термічного відпалу плівки Ni на монокристалічному кремнію. Як за високотемпературного, так і за анодного окиснення тонких плівок NiSi та NiSi2 на їх поверхнях утворюється тонкий шар SiO2, що має захисні властивості. Початок високотемпературного окиснення плівок NiSi відбувається при температурі 930 К, що на 100 К нижче початку окиснення плівок NiSi2. З підвищенням температури приріст маси плівок NiSi більший, ніж у плівок NiSi2, і при 1273 К ця різниця складає 3 рази, що пояснюється відмінністю їх структури та стехіометрії. Показано, що стійкість плівок до електрохімічної корозії зростає в ряду: Ni —> NiSi —> NiSi2.


ВИСОКОТЕМПЕРАТУРНЕ ОКИСНЕННЯ, ЕЛЕКТРОХІМІЧНЕ ОКИСНЕННЯ, ЗАХИСНИЙ ШАР SІО2, СИЛІЦИД, ТОНКА ПЛІВКА